碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。
分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(25℃)80cm2/(V·s)，电子有效质量0.096，电阻率103～107Ω·cm。以高纯碲和镉为原料，脱氧后合成碲化镉，再用垂直定向结晶Chemicalbook法或垂直区熔法生长成单晶或多晶。
单晶用于制作红外电光调制器、红外探测器、红外透镜和窗口、磷光体、常温γ射线探测器、太阳能电池及接近可见光区的发光器件等，碲化镉太阳能电池，较单晶硅太阳能电池有制作方便，成本低廉和重量较轻等优点。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料，高、力学性能差，至今难以制成大直径体单晶，许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)等。
碲化镉
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